会议背景

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。参观第三代半导体重点企业与项目。

会议主题包括但不限于

1. 国际形势对中国第三代半导体发展的影响

2. 第三代半导体市场及产业发展机遇

3. 6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

4. SiC长晶工艺技术与设备

5. 净化工程与EPC工程项目实践

6. 8英寸SiC国产化进程和技术突破 

7. SiC市场以及技术发展难题&解决方案

8. SiC与GaN外延片技术进展

9. 大尺寸GaN长晶难点及技术展望

10. GaN材料技术进展

11. SiC与GaN器件与下游应用

12. 功率器件封装技术与材料

13. 新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

14. 工业参观与考察（重点企业或园区）

若您有意向参与演讲、赞助或参会，欢迎联系我们！

会议主题

1. 国际形势对中国第三代半导体发展的影响

2. 第三代半导体市场及产业发展机遇

3. 6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

4. SiC长晶工艺技术与设备

5. 净化工程与EPC工程项目实践

6. 8英寸SiC国产化进程和技术突破 

7. SiC市场以及技术发展难题&解决方案

8. SiC与GaN外延片技术进展

9. 大尺寸GaN长晶难点及技术展望

10. GaN材料技术进展

11. SiC与GaN器件与下游应用

12. 功率器件封装技术与材料

13. 新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

14. 工业参观与考察（重点企业或园区）

会议日程