12月14日消息，盛美半导体设备（上海）股份有限公司(以下简称“盛美上海”)作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的领先设备供应商，近日宣布推出拥有自主知识产权的Ultra PmaxTM等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备，拓展了一个重要的全新产品分类。盛美上海预计将在几周内向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备。
盛美上海首席执行官王坚表示：“Ultra PmaxTM PECVD设备的推出，标志着我们在前道半导体应用中进一步扩展到了全新的工艺领域。我们有很多客户是28纳米及以上的逻辑器件供应商。我们预测到了成熟工艺节点产能的增加，因为中国市场的成熟工艺节点产能明显供不应求。这款PECVD设备，使盛美上海在满足全球先进逻辑和存储芯片市场需求的同时，也将更好地服务于全球客户。我们预测，这次推出的PECVD设备，及上个月发布的前道涂胶显影设备Ultra Lith，这两个全新的产品系列将使我们全球可服务市场规模翻倍增加。”
Ultra PmaxTM PECVD设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性，更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。该设备采用单腔体模块化设计，有两种配置：一种是可以配置一至三腔体模块，适合极薄膜层或快速工艺步骤；另一种是可以配置四至五腔体模块，在优化产能的同时，支持厚膜沉积以及更长的工艺时间。以上两种配置中，每个腔体都安装有多个加热卡盘，以优化工艺控制并提高产能。
在半导体设备中，光刻机、刻蚀机与薄膜沉积设备并称为三大主设备。其中薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积，包括 CVD（化学气相沉积）设备、PVD（物理气相沉积）设备/电镀设备和ALD（原子层沉积）设备。随着逻辑和存储芯片对制造工艺标准的不断提升，催生了薄膜沉积设备更多的需求。摩尔定律下逻辑芯片需要采用多重曝光工艺，重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小线宽。此外NAND制造工艺从2D向3D转化，堆叠层数也从现在的128层，向500层及以上发展，产品结构和层数逐渐复杂化。这使得薄膜沉积设备需求成倍增长。
相比传统CVD设备，PECVD设备在相对较低的反应温度下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。2020年，PECVD设备占全球薄膜沉积设备份额为34%。
目前，PECVD市场主要被Lam Research及应用材料占据，国内技术较强的企业为拓荆科技，目前已实现12英寸PECVD设备的国产化。
来源：和讯网、集微网等
